La dinamica dei portatori di carica nei semiconduttori dipende in parte dalla morfologia dei campioni. Lo studio di questi materiali mediante la spettroscopia ultraveloce di assorbimento transiente e la fotoluminescenza a basse temperature fornisce importanti dettagli sulla dinamica ultraveloce  dei portatori e sugli effetti che hanno sulla scala dei tempi del femtosecondo / picosecondo come ad esempio la rinormalizzazione del band gap.


L'EFSL è principalmente attivo nel campo di:
    • Dinamica ultraveloce di portatori di carica  e semiconduttori nanostrutturati
    • Processi di trasferimento di energia tra nanofili semiconduttori e nanostrutture plasmoniche
    • Dinamica della fotoluminescenza nei semiconduttori.

L'EFSL studia queste tematiche in collaborazione con l'Istituto di microelettronica e microsistemi (IMM).

 

Pubblicazioni Selezionate

Ultrafast carrier dynamics, band-gap renormalization, and optical properties of ZnSe nanowires
Tian, Lin; di Mario, Lorenzo; Zannier, Valentina; Catone, Daniele; Colonna, Stefano; O'Keeffe, Patrick; Turchini, Stefano; Zema, Nicola; Rubini, Silvia; Martelli, Faustino
Physical Review B, 94, 165442 (2016)
 
Carrier dynamics in silicon nanowires studied via femtosecond transient optical spectroscopy from 1.1 to 3.5 eV
Lin Tian, Lorenzo Di Mario, Aswathi K Sivan, Daniele Catone, Patrick O'Keeffe, Alessandra Paladini, Stefano Turchini and Faustino Martelli
Nanotechnology, 30, 214001 (2019)

 

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