La dinamica dei portatori di carica nei semiconduttori dipende in parte dalla morfologia dei campioni. Lo studio di questi materiali mediante la spettroscopia ultraveloce di assorbimento transiente e la fotoluminescenza a basse temperature fornisce importanti dettagli sulla dinamica ultraveloce dei portatori e sugli effetti che hanno sulla scala dei tempi del femtosecondo / picosecondo come ad esempio la rinormalizzazione del band gap.
L'EFSL è principalmente attivo nel campo di:
• Dinamica ultraveloce di portatori di carica e semiconduttori nanostrutturati
• Processi di trasferimento di energia tra nanofili semiconduttori e nanostrutture plasmoniche
• Dinamica della fotoluminescenza nei semiconduttori.
L'EFSL studia queste tematiche in collaborazione con l'Istituto di microelettronica e microsistemi (IMM).
Pubblicazioni Selezionate
- Ultrafast carrier dynamics, band-gap renormalization, and optical properties of ZnSe nanowires
- Tian, Lin; di Mario, Lorenzo; Zannier, Valentina; Catone, Daniele; Colonna, Stefano; O'Keeffe, Patrick; Turchini, Stefano; Zema, Nicola; Rubini, Silvia; Martelli, Faustino
- Physical Review B, 94, 165442 (2016)
- Carrier dynamics in silicon nanowires studied via femtosecond transient optical spectroscopy from 1.1 to 3.5 eV
- Lin Tian, Lorenzo Di Mario, Aswathi K Sivan, Daniele Catone, Patrick O'Keeffe, Alessandra Paladini, Stefano Turchini and Faustino Martelli
- Nanotechnology, 30, 214001 (2019)
