È stato sviluppato un nuovo processo di fabbricazione per gli isolanti topologici di Bi₂Se₃ sotto forma di nanofili/nano-nastri e film ultrasottili. Tale processo prevede due fasi consecutive: i nanofili/nano-nastri di Bi₂Se₃ vengono depositati mediante deposizione per evaporazione su diversi substrati posizionati all'interno di un tubo di quarzo. Quindi, il Bi₂Se₃, bloccato sulla superficie interna del tubo di quarzo, viene nuovamente evaporato e depositato sotto forma di pellicole ultrasottili su nuovi substrati a una temperatura inferiore ai 100 °C, aspetto estremamente rilevante per applicazioni di elettronica flessibile. Il metodo è nuovo, rapido, molto economico, facile da controllare e consente di ottenere film di diverso spessore fino a uno strato quintuplo (QL) durante la stessa procedura. La composizione e la struttura cristallina dei nanofili/nano-nastri e i film sottili sono analizzati con diverse tecniche ottiche, elettroniche e strutturali. Per i film, la spettroscopia di tunneling a scansione mostra che il livello di Fermi è posizionato nel mezzo della gap. I film ultrasottili, con uno spessore compreso tra 1 e 10 QL depositati su substrati di silicio drogato n, presentano buone proprietà di rettifica adatte al loro uso come fotorilevatori nella gamma di lunghezze d'onda ultravioletto-visibile-vicino infrarosso.