Il gruppo di ricerca di EFSL, in collaborazione con l'Università di Roma Tor Vergata, l'INFN, la Fondazione Bruno Kessler e la Chalmers University of Technology, ha pubblicato un articolo sulla rivista Nanoscale intitolato "Stoichiometric Bi₂Se₃ topological insulator ultrathin films obtained through a new fabrication process for optoelectronic applications", di Matteo Salvato, Mattia Scagliotti, Maurizio De Crescenzi, Paola Castrucci, Fabio De Matteis, Michele Crivellari, Stefano Pelli Cresi, Daniele Catone, Thilo Bauch e Floriana Lombardi.

https://doi.org/10.1039/D0NR02725A